IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, AC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=50..150%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, AC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=20..300%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=50..600%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=80..160%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=130..260%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=200..400%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=300..600%, SOP 4L, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, AC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=50..150%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=80..160%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=130..260%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=200..400%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=300..600%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=63..125%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=100..200%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=160..320%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=80 В, Ic=50 мА, коэф. передачи=100..300%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -55..110°C

IC, оптопара с транзисторным выходом Дарлингтона, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=300 В, Ic=150 мА, коэф. передачи=1000..4000%, 4-DIP, 2.54мм, -40..85°C

IC, оптопара с транзисторным выходом Дарлингтона, 1 канал, DC-вход, Uизол=5000 В, Uceo=300 В, Ic=150 мА, коэф. передачи=1000..4000%, 4-DIP SMD, 2.54мм, -40..85°C

IC, оптопара с транзисторным выходом Дарлингтона, 1 канал, DC-вход, Uизол=3750 В, Uceo=300 В, Ic=150 мА, коэф. передачи=1000..4000%, 4-SOP, 2.54мм, -40..85°C

IC, высокососкоростной оптрон, 1 канал, 10Мбит/с, Uизол=5000 В, Vcc = 7 B, Io=50мА, 6-LSOP, -40..85°C

IC, высокососкоростной оптрон, 1 канал, 15Мбит/с, Uизол=5000 В, Vcc = 6,5 B, Io=10мА, 6-LSOP, -40..105°C

IC, высокососкоростной оптрон, 2 канала, 15Мбит/с, Uизол=3750 В, Vcc = 7 B, Io=50мА, 8-SOP, 2.54 мм, -40..105°C

IC, высокососкоростной оптрон, 1 канал, 1Мбит/с, Uизол=5000 В, Vcc = 15 B, Io=8мА, 8-DIP SMD, 2.54 мм, -40..85°C

IC, высокососкоростной оптрон, 1 канал, 10Мбит/с, Uизол=5000 В, Vcc = 7 B, Io=50мА, 8-DIP, 2.54 мм, -40..105°C

IC, высокоскоростной оптрон, 1 канал, 10Мбит/с, Uизол=5000 В, Vcc = 7 B, Io=50мА, 6-SOP, 2.54 мм, -40..105°C