◁Фильтр
ПроизводительВсе
▾
Диапазон рабочих температурВсе
▾
КорпусВсе
▾
Корпус производителяВсе
▾
Напряжение прямое (Vf) (Макс.) при IfВсе
▾
Обратное пиковое напряжение (макс.)Все
▾
Размер, дюймыВсе
▾
Средний выпрямленный ток (Io)Все
▾
Тип диодаВсе
▾
GBU10J-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU10G-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU10D-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU10B-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU10A-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10A — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBS4M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBS4K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBS4J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBS4G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBS4D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBS4B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBS4A — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/4А, SIP 19*3.5*10 мм, -50…+150°С
GBI40W — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*20*3.6мм, 800В/40А, -50…+150°С
GBI40M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*20*3.6мм, 700В/40А, -50…+150°С
GBI40K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*20*3.6мм, 560В/40А, -50…+150°С
GBI35M-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*18*3.6мм, 700В/35А, -50…+150°С
GBI35M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*18*3.6мм, 700В/35А, -50…+150°С
GBI35K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*18*3.6мм, 560В/35А, -50…+150°С
GBI35J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*18*3.6мм, 420В/35А, -50…+150°С
GBI35G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 30*18*3.6мм, 280В/35А, -50…+150°С