◁Фильтр
ПроизводительВсе
▾
Диапазон рабочих температурВсе
▾
КорпусВсе
▾
Корпус производителяВсе
▾
Напряжение прямое (Vf) (Макс.) при IfВсе
▾
Обратное пиковое напряжение (макс.)Все
▾
Размер, дюймыВсе
▾
Средний выпрямленный ток (Io)Все
▾
Тип диодаВсе
▾
GBU4G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU4D-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU4D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU4B-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU4B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU4A-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU4A — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU12M-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU12K-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU12J-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU12G-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU12D-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU12B-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU12A-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU12A — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/12А, 21.5*18.2*3.4мм, -50…+150°С
GBU10M-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU10K-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU10K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/10А, 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С