◁Фильтр
ПроизводительВсе
▾
Диапазон рабочих температурВсе
▾
КорпусВсе
▾
Корпус производителяВсе
▾
Напряжение прямое (Vf) (Макс.) при IfВсе
▾
Обратное пиковое напряжение (макс.)Все
▾
Размер, дюймыВсе
▾
Средний выпрямленный ток (Io)Все
▾
Тип диодаВсе
▾
GBU8B-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU8B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU8A-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU8A — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6M-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6K-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6J-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6G-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6D-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6B-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 70В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU6A-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU6A — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 35В/6А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU4M-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах (аналог RS407L)
GBU4M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С (аналог RS407L)
GBU4K-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU4K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU4J-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU4J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU4G-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/4А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах