◁Фильтр
ПроизводительВсе
▾
Диапазон рабочих температурВсе
▾
КорпусВсе
▾
Корпус производителяВсе
▾
Напряжение прямое (Vf) (Макс.) при IfВсе
▾
Обратное пиковое напряжение (макс.)Все
▾
Размер, дюймыВсе
▾
Средний выпрямленный ток (Io)Все
▾
Тип диодаВсе
▾
KBP304G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 280В/3А, -50…+150°С
KBP302G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 140В/3А, -50…+150°С
KBP210G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 700В/2А, -50…+150°С
KBP208G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 560В/2А, -50…+150°С
KBP206G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 420В/2А, -50…+150°С
KBP204G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 280В/2А, -50…+150°С
KBP202G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 14.5*10.4*3.5мм, 140В/2А, -50…+150°С
GUO40-16NO1 — LITTELFUSE
Power Diode Discretes-Rectifier GUFP
GUO40-12NO1 — LITTELFUSE
Power Diode Discretes-Rectifier GUFP
GUO40-08NO1 — LITTELFUSE
Power Diode Discretes-Rectifier GUFP
GBV15M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 21.5*18.2*3.4мм, 700В/15А, -50…+150°С
GBV15K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 21.5*18.2*3.4мм, 560В/15А, -50…+150°С
GBV15B — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 21.5*18.2*3.4мм, 70В/15А, -50…+150°С
GBUK8G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/8А, 20.8*18*3.3мм, -50…+150°С
GBUK8D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/8А, 20.8*18*3.3мм, -50…+150°С
GBU8M-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах (аналог RS807)
GBU8M — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 700В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С (аналог RS807)
GBU8K-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU8K — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 560В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU8J-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU8J — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 420В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU8G-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU8G — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 280В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С
GBU8D-T — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С, упаковка в тубах
GBU8D — DIOTEC SEMICONDUCTOR
однофазный диодный мост, 140В/8А, SIP 21.5*18.2*3.4 мм, -50…+150°С