◁Фильтр
ПроизводительВсе
▾
ВысотаВсе
▾
ДобротностьВсе
▾
ИндуктивностьВсе
▾
Рабочий токВсе
▾
ТипВсе
▾
ТипоразмерВсе
▾
Точность, %Все
▾
CL201209T-R27L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.27мкГн, 15% Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL201209T-R27M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.27мкГн, 20% Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL201209T-R33K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.33мкГн, 10%, Q=25, 0.55Ом, 250мА (аналог LQM21NNR33K10*)
CL201209T-R33L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.33мкГн, 15% Q=25, 0.55Ом, 250мА
CL201209T-R33M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.33мкГн, 20% Q=25, 0.55Ом, 250мА
CL201209T-R39K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.39мкГн, 10%, Q=25, 0.65Ом, 250мА (аналог LQM21NNR39K10*)
CL201209T-R39L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.39мкГн, 15% Q=25, 0.65Ом, 250мА
CL201209T-R39M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.39мкГн, 20% Q=25, 0.65Ом, 250мА
CL201209T-R47K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 10%, Q=25, 0.65Ом, 250мА (аналог LQM21NNR47K10*)
CL201209T-R47L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 15% Q=25, 0.65Ом, 250мА
CL201209T-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 20% Q=25, 0.65Ом, 250мА
CL201209T-R56K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.56мкГн, 10%, Q=25, 0.75Ом, 150мА (аналог LQM21NNR56K10*)
CL201209T-R56L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.56мкГн, 15% Q=25, 0.75Ом, 150мА
CL201209T-R56M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.56мкГн, 20% Q=25, 0.75Ом, 150мА
CL201209T-R68K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.68мкГн, 10%, Q=25, 0.8Ом, 150мА (аналог LQM21NNR68K10*)
CL201209T-R68L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.68мкГн, 15% Q=25, 0.8Ом, 150мА
CL201209T-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.68мкГн, 20% Q=25, 0.8Ом, 150мА
CL201209T-R82K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.82мкГн, 10%, Q=25, 1Ом, 150мА (аналог LQM21NNR82K10*)
CL201209T-R82L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.82мкГн, 15% Q=25, 1Ом, 150мА
CL201209T-R82M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.82мкГн, 20% Q=25, 1Ом, 150мА
CL201212T-100K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 10%, Q=45, 1.1Ом, 15мА (аналог TL201209 100K)
CL201212T-100L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 15%, Q=45, 1.1Ом, 15мА
CL201212T-100M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 10мкГн, 20%, Q=45, 1.1Ом, 15мА
CL201212T-120K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 10%, Q=45, 1.2Ом, 15мА
CL201212T-120L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 12мкГн, 15%, Q=45, 1.2Ом, 15мА