◁Фильтр
ПроизводительВсе
▾
ВысотаВсе
▾
ДобротностьВсе
▾
ИндуктивностьВсе
▾
Рабочий токВсе
▾
ТипВсе
▾
ТипоразмерВсе
▾
Точность, %Все
▾
CL201209T-33NM-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.033мкГн, 20% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-47NL-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.047мкГн, 15% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-47NM-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.047мкГн, 20% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-56NL-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.056мкГн, 15% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-56NM-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.056мкГн, 20% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-68NL-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.068мкГн, 15% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-68NM-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.068мкГн, 20% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-82NL-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.082мкГн, 15% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-82NM-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.082мкГн, 20% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-R10K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.1мкГн, 10%, Q=25, 0.3Ом, 250мА (аналог LQM21NNR10K10*)
CL201209T-R10L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.1мкГн, 15% Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL201209T-R10M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.1мкГн, 20% Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL201209T-R12K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.12мкГн, 10%, Q=25, 0.3Ом, 250мА (аналог LQM21NNR12K10*)
CL201209T-R12L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.12мкГн, 15% Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL201209T-R12M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.12мкГн, 20% Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL201209T-R15K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.15мкГн, 10%, Q=25, 0.4Ом, 250мА (аналог LQM21NNR15K10*)
CL201209T-R15L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.15мкГн, 15% Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL201209T-R15M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.15мкГн, 20% Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL201209T-R18K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.18мкГн, 10%, Q=25, 0.4Ом, 250мА (аналог LQM21NNR18K10*)
CL201209T-R18L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.18мкГн, 15% Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL201209T-R18M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.18мкГн, 20% Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL201209T-R22K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.22мкГн, 10%, Q=25, 0.5Ом, 250мА (аналог LQM21NNR22K10*)
CL201209T-R22L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.22мкГн, 15% Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL201209T-R22M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.22мкГн, 20% Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL201209T-R27K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.27мкГн, 10%, Q=25, 0.5Ом, 250мА (аналог LQM21NNR27K10*)