ЭЛТЕХКаталог
[-] Каталог
Фильтр
ПроизводительВсе
ВысотаВсе
ДобротностьВсе
ИндуктивностьВсе
Рабочий токВсе
ТипВсе
ТипоразмерВсе
Точность, %Все
CL160808T-R56M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.56мкГн, 20%, Q=25, 1.5Ом, 35мА
CL160808T-R68K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.68мкГн, 10%, Q=25, 1.7Ом, 35мА
CL160808T-R68L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.68мкГн, 15%, Q=25, 1.7Ом, 35мА
CL160808T-R68M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.68мкГн, 20%, Q=25, 1.7Ом, 35мА
CL160808T-R82K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.82мкГн, 10%, Q=25, 2.1Ом, 35мА
CL160808T-R82L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.82мкГн, 15%, Q=25, 2.1Ом, 35мА
CL160808T-R82M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 0.82мкГн, 20%, Q=25, 2.1Ом, 35мА
CL201209T-1R0K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 10%, Q=45, 0.4Ом, 50мА (аналог LQM21NN1R0K10*)
CL201209T-1R0L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 15% Q=45, 0.4Ом, 50мА
CL201209T-1R0M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1мкГн, 20% Q=45, 0.4Ом, 50мА (аналог LQM21DN1R0N00)
CL201209T-1R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.2мкГн, 10%, Q=45, 0.5Ом, 50мА (аналог LQM21NN1R2K10*)
CL201209T-1R2L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.2мкГн, 15% Q=45, 0.5Ом, 50мА
CL201209T-1R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.2мкГн, 20% Q=45, 0.5Ом, 50мА
CL201209T-1R5K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 10%, Q=45, 0.5Ом, 50мА (аналог LQM21NN1R5K10*)
CL201209T-1R5L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 15% Q=45, 0.5Ом, 50мА
CL201209T-1R5M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.5мкГн, 20% Q=45, 0.5Ом, 50мА
CL201209T-1R8K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.8мкГн, 10%, Q=45, 0.6Ом, 50мА (аналог LQM21NN1R8K10*)
CL201209T-1R8L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.8мкГн, 15% Q=45, 0.6Ом, 50мА
CL201209T-1R8M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 1.8мкГн, 20% Q=45, 0.6Ом, 50мА
CL201209T-22NL-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.022мкГн, 15% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-22NM-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.022мкГн, 20% Q=20, 0.2Ом, 300мА
CL201209T-2R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 10%, Q=45, 0.65Ом, 30мА (аналог LQM21NN2R2K10*)
CL201209T-2R2L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 15% Q=45, 0.65Ом, 30мА
CL201209T-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 2.2мкГн, 20% Q=45, 0.65Ом, 30мА
CL201209T-33NL-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 0.033мкГн, 15% Q=20, 0.2Ом, 300мА