(аналог LQM21PN2R2MGR)

(аналог LQM21PN3R3MGR, MLP2012S3R3MT, CKP2012N3R3M, MPL2012S3R3MHT)

(аналог LQM21PN4R7MGR, MLP2012S4R7MT, CKP2012N4R7M, MPL2012S4R7MHT)

Чип-индуктивность 0805, 0.47мкГн, 20%, 0.09Ом, 1.3А

Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.08Ом, 0.5А (аналог LQM2HPN2R2MG0, MLP2520S2R2M, CKP2520 2R2M-T, MPL2520S2R2MHT)

(аналог IHLP2525CZER100M06)

Силовая индуктивность 10.0*11.7*4.5мм, 6.8мкГн, 20%, 0.024Ом, 7.5А (аналог PCMB104E-6R8MS, MMD-10DE-6R8M-X2)

Силовая индуктивность 12.9*13.2*6.4мм, 5.6мкГн, 20%, 0.01Ом, 13.5А

Силовая индуктивность 17*17*7мм, 2.2мкГн, 20%

Силовая индуктивность 5.5*5.85*2.8мм, 0.47мкГн, 20%

Силовая индуктивность 4.1*4.6*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.047Ом, 4.2А (аналог IHLP1616ABER1R0M01)

Силовая индуктивность 4.1*4.6*2.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.058Ом, 3А (аналог IHLP1616BZER2R2M01, PIMB042T-2R2MS)

Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 6.8мкГн, 20%, 0.05Ом, 4.5А (аналог PIMB063T-6R8MS)

Силовая индуктивность 10.1*11.6*4.0мм, 10мкГн, 20%, 0.03Ом, 6.5А (аналог IHLP4040DZER100M11, PIMB104T-100MS)

Силовая индуктивность 10.1*11.6*4.0мм, 0.45мкГн, 20%, 0.0012Ом, 33А (аналог PIMB104T-R45MS)

Силовая индуктивность 10.1*11.6*4.0мм, 0.56мкГн, 20%, 0.00155Ом, 32А

Силовая индуктивность 6.3*6.2*3.0мм, 10мкГн, 20%, 0.059Ом, 2.25А

Силовая индуктивность 6.3*6.2*3.0мм, 10мкГн, 20%, 0.065Ом, 2.05А (аналог SRR0603-100ML)

Силовая индуктивность 6.3*6.2*3.0мм, 6.8мкГн, 30%, 0.041Ом, 2.6А (аналог SRU5028-6R8Y)

Силовая индуктивность 6.3*6.2*4.5мм, 470мкГн, 20% (аналог ELL-6UH471M)

Силовая индуктивность 7.0*7.0*4.5мм, 10мкГн, 20%, 0.033Ом, 3.4А (аналог CLF7045T-100M)

Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 10мкГн, 20%, 0.049Ом, 1.84А (аналог B82472G6103M)

Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.6мм, 150мкГн, 20%, 0.88Ом, 0.46А (аналог CDRH74NP-151M, B82472G6154M)

Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.5мм, 22мкГн, 20%, 0.0925Ом, 1.75А (аналог 24S220C)

Силовая индуктивность 7.3*7.3*4.6мм, 330мкГн, 20%, 1.86Ом, 0.32А (аналог B82472G6334M)