◁
CL321611T-8R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 8.2мкГн, 10%, Q=45, 0.9Ом, 25мА
CL321611T-8R2L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 8.2мкГн, 15%, Q=45, 0.9Ом, 25мА
CL321611T-8R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 8.2мкГн, 20%, Q=45, 0.9Ом, 25мА
CL321611T-R10K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.1мкГн, 10%, Q=25, 0.25Ом, 250мА
CL321611T-R10L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.1мкГн, 15%, Q=25, 0.25Ом, 250мА
CL321611T-R10M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.1мкГн, 20%, Q=25, 0.25Ом, 250мА
CL321611T-R12K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.12мкГн, 10%, Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL321611T-R12L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.12мкГн, 15%, Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL321611T-R12M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.12мкГн, 20%, Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL321611T-R15K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.15мкГн, 10%, Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL321611T-R15L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.15мкГн, 15%, Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL321611T-R15M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.15мкГн, 20%, Q=25, 0.3Ом, 250мА
CL321611T-R18K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.18мкГн, 10%, Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL321611T-R18L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.18мкГн, 15%, Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL321611T-R18M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.18мкГн, 20%, Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL321611T-R22L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.22мкГн, 15%, Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL321611T-R22M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.22мкГн, 20%, Q=25, 0.4Ом, 250мА
CL321611T-R27K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.27мкГн, 10%, Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL321611T-R27L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.27мкГн, 15%, Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL321611T-R27M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.27мкГн, 20%, Q=25, 0.5Ом, 250мА
CL321611T-R33K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.33мкГн, 10%, Q=25, 0.6Ом, 250мА
CL321611T-R33L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.33мкГн, 15%, Q=25, 0.6Ом, 250мА
CL321611T-R33M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.33мкГн, 20%, Q=25, 0.6Ом, 250мА
CL321611T-R39K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.39мкГн, 10%, Q=25, 0.5Ом, 200мА
CL321611T-R39L-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1206, 0.39мкГн, 15%, Q=25, 0.5Ом, 200мА