Чип-индуктивность 1210, 270мкГн, 10%, Q=40, 12.5Ом, 65мА (аналог LQH32MN271J21*/ LQH32MN271K21*)

Чип-индуктивность 1210, 27мкГн, 20%, Q=35, 3.1Ом, 125мА

Чип-индуктивность 1210, 27мкГн, 10%, Q=35, 3.1Ом, 125мА (аналог LQH32MN270J21*/ LQH32MN270K21*)

Чип-индуктивность 1210, 220мкГн, 20%, Q=40, 11.8Ом, 65мА

Чип-индуктивность 1210, 220мкГн, 10%, Q=40, 11.8Ом, 65мА (аналог LQH32MN221J21*/ LQH32MN221K21*)

Чип-индуктивность 1210, 22мкГн, 20%, Q=35, 2.8Ом, 150мА

Чип-индуктивность 1210, 22мкГн, 10%, Q=35, 2.8Ом, 150мА (аналог LQH32MN220K21*)

Чип-индуктивность 1210, 22мкГн, 5%, Q=35, 2.8Ом, 150мА (аналог LQH32MN220J21*)

Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 20%, Q=20, 0.7Ом, 390мА

Чип-индуктивность 1210, 1.8мкГн, 10%, Q=20, 0.7Ом, 390мА (аналог LQH32MN1R8K21*)

Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 20%, Q=20, 0.6Ом, 400мА

Чип-индуктивность 1210, 1.5мкГн, 10%, Q=20, 0.6Ом, 400мА (аналог LQH32MN1R5K21*)

Чип-индуктивность 1210, 1.2мкГн, 20%, Q=20, 0.6Ом, 425мА (аналог LQH32MN1R2M21*)

Чип-индуктивность 1210, 1мкГн, 20%, Q=20, 0.5Ом, 445мА (аналог LQH32MN1R0M21*)

Чип-индуктивность 1210, 180мкГн, 20%, Q=40, 10.2Ом, 65мА

Чип-индуктивность 1210, 180мкГн, 10%, Q=40, 10.2Ом, 65мА (аналог LQH32MN181J21*/ LQH32MN181K21*)

Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 20%, Q=35, 2.5Ом, 165мА

Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 10%, Q=35, 2.5Ом, 165мА (аналог LQH32MN180J21*/ LQH32MN180K21*)

Чип-индуктивность 1210, 150мкГн, 20%, Q=40, 9.3Ом, 70мА

Чип-индуктивность 1210, 150мкГн, 10%, Q=40, 9.3Ом, 70мА (аналог LQH32MN151J21*/ LQH32MN151K21*)

Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 20%, Q=35, 2.2Ом, 170мА

Чип-индуктивность 1210, 15мкГн, 10%, Q=35, 2.2Ом, 170мА (аналог LQH32MN150J21*/ LQH32MN150K21*)

Чип-индуктивность 1210, 120мкГн, 20%, Q=40, 8Ом, 75мА

Чип-индуктивность 1210, 120мкГн, 10%, Q=40, 8Ом, 75мА (аналог LQH32MN121J23*/ LQH32MN121K21*)

Чип-индуктивность 1210, 12мкГн, 20%, Q=35, 2Ом, 180мА