◁
SQV453226T-470M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 47мкГн, 20%, Q=35, 1.5Ом, 220мА
SQV453226T-470K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 47мкГн, 10%, Q=35, 1.5Ом, 220мА
SQV453226T-3R9M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 3.9мкГн, 20%, Q=20, 0.38Ом, 500мА
SQV453226T-3R3M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 3.3мкГн, 20%, Q=20, 0.35Ом, 500мА
SQV453226T-391M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 390мкГн, 20%, Q=40, 9.7Ом, 90мА
SQV453226T-391K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 390мкГн, 10%, Q=40, 9.7Ом, 90мА
SQV453226T-391J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 390мкГн, 5%, Q=40, 9.7Ом, 90мА
SQV453226T-390M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 39мкГн, 20%, Q=35, 1.4Ом, 240мА
SQV453226T-390K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 39мкГн, 10%, Q=35, 1.4Ом, 240мА
SQV453226T-331M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 330мкГн, 20%, Q=40, 8.2Ом, 95мА
SQV453226T-331K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 330мкГн, 10%, Q=40, 8.2Ом, 95мА (аналог LQH43MN331K*)
SQV453226T-330M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 33мкГн, 20%, Q=35, 1.2Ом, 270мА
SQV453226T-330K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 33мкГн, 10%, Q=35, 1.2Ом, 270мА (аналог LQH43MN330K*)
SQV453226T-2R7M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 2.7мкГн, 20%, Q=20, 0.32Ом, 500мА
SQV453226T-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 2.2мкГн, 20%, Q=20, 0.3Ом, 500мА
SQV453226T-271M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 270мкГн, 20%, Q=40, 6.8Ом, 100мА
SQV453226T-271K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 270мкГн, 10%, Q=40, 6.8Ом, 100мА
SQV453226T-270M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 27мкГн, 20%, Q=35, 1.1Ом, 300мА
SQV453226T-270K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 27мкГн, 10%, Q=35, 1.1Ом, 300мА
SQV453226T-270J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 27мкГн, 5%, Q=35, 1.1Ом, 300мА
SQV453226T-222M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 2200мкГн, 20%, Q=40, 50Ом, 30мА
SQV453226T-222K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 2200мкГн, 10%, Q=40, 50Ом, 30мА
SQV453226T-222J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 2200мкГн, 5%, Q=40, 50Ом, 30мА
SQV453226T-221M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 220мкГн, 20%, Q=40, 5.4Ом, 110мА
SQV453226T-221K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1812, 220мкГн, 10%, Q=40, 5.4Ом, 110мА