Чип-индуктивность 1812, 12мкГн, 10%, Q=35, 0.62Ом, 380мА

Чип-индуктивность 1812, 1000мкГн, 20%, Q=40, 25Ом, 50мА

Чип-индуктивность 1812, 1000мкГн, 10%, Q=40, 25Ом, 50мА

Чип-индуктивность 1812, 1000мкГн, 5%, Q=40, 25Ом, 50мА (аналог LQH43MN102J03*)

Чип-индуктивность 1812, 100мкГн, 20%, Q=40, 2.5Ом, 160мА

Чип-индуктивность 1812, 100мкГн, 10%, Q=40, 2.5Ом, 160мА (аналог LQH43MN101K03/ LQH4N101K04)

Чип-индуктивность 1812, 100мкГн, 5%, Q=40, 2.5Ом, 160мА

Чип-индуктивность 1812, 10мкГн, 10%, Q=35, 0.56Ом, 400мА (аналог LQH43MN100K03*)

Чип-индуктивность 1210, 0.82мкГн, 20%, Q=20, 0.25Ом, 450мА (аналог LQH32MNR82M21*)

Чип-индуктивность 1210, 0.47мкГн, 20%, Q=20, 0.06Ом, 1100мА

Чип-индуктивность 1210, 0.1мкГн, 30%, Q=20, 0.025Ом, 700мА

Чип-индуктивность 1210, 8.2мкГн, 20%, Q=20, 1.6Ом, 225мА

Чип-индуктивность 1210, 8.2мкГн, 10%, Q=20, 1.6Ом, 225мА (аналог LQH32MN8R2K21*)

Чип-индуктивность 1210, 82мкГн, 20%, Q=40, 6.2Ом, 70мА

Чип-индуктивность 1210, 82мкГн, 10%, Q=40, 6.2Ом, 70мА (аналог LQH32MN820K21*)

Чип-индуктивность 1210, 82мкГн, 5%, Q=40, 6.2Ом, 70мА (аналог LQH32MN820J21*)

Чип-индуктивность 1210, 6.8мкГн, 20%, Q=20, 1.5Ом, 240мА

Чип-индуктивность 1210, 6.8мкГн, 10%, Q=20, 1.5Ом, 240мА (аналог LQH32MN6R8K21*)

Чип-индуктивность 1210, 68мкГн, 20%, Q=40, 5.5Ом, 80мА

Чип-индуктивность 1210, 68мкГн, 10%, Q=40, 5.5Ом, 80мА (аналог LQH32MN680J21*/ LQH32MN680K21*)

Чип-индуктивность 1210, 5.6мкГн, 20%, Q=20, 1.3Ом, 250мА

Чип-индуктивность 1210, 5.6мкГн, 10%, Q=20, 1.3Ом, 250мА (аналог LQH32MN5R6K21*)

Чип-индуктивность 1210, 560мкГн, 20%, Q50 28Ом, 40мА

Чип-индуктивность 1210, 560мкГн, 10%, Q=50, 28Ом, 40мА (аналог LQH32MN561K21*)

Чип-индуктивность 1210, 560мкГн, 5%, Q=50, 28Ом, 40мА (аналог LQH32MN561J21*)