◁
MHCD252012A-1R5M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1.5мкГн, 20%, 0.062Ом, 2.7А
MHCD252012A-1R0M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.045Ом, 3.5А
MHCD252010B-4R7M-A8L — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.25Ом, 1.1А
MHCD252010A-R68M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.049Ом, 3.3А
MHCD252010A-R47M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.036Ом, 3.6А
MHCD252010A-R24M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.024Ом, 5А
MHCD252010A-2R2M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.13Ом, 1.8А
MHCD252010A-1R5M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1.5мкГн, 20%, 0.082Ом, 2.9А
MHCD252010A-1R0M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 1мкГн, 20%, 0.06Ом, 3А
MHCD201612A-R68M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 0.68мкГн, 20%, 0.053Ом, 3.2А
MHCD201612A-R47M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.04Ом, 3.8А
MHCD201612A-R24M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 0.24мкГн, 20%, 0.025Ом, 4.8А
MHCD201612A-2R2M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.165Ом, 1.7А
MHCD201612A-1R5M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 1.5мкГн, 20%, 0.095Ом, 2.6А
MHCD201612A-1R0M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.067Ом, 2.7А
MHCD201610B-R68M-A8L — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 0.68мкГн, 20%, 0.053Ом, 2.5А
MHCD201610B-R47M-A8L — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 0.47мкГн, 20%, 0.041Ом, 2.9А
MHCD201610B-R24M-A8L — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 0.24мкГн, 20%, 0.03Ом, 3.8А
MHCD201610B-2R2M-A8L — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 2.2мкГн, 20%, 0.17Ом, 1.5А
MHCD201610B-1R0M-A8L — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.2мм, 1мкГн, 20%, 0.072Ом, 2.2А
MHCD201610A-R68M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.68мкГн, 20%, 0.055Ом, 3А
MHCD201610A-R56M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.56мкГн, 20%, 0.046Ом, 3.3А
MHCD201610A-R47M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.47мкГн, 20%, 0.044Ом, 3.6А
MHCD201610A-R33M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.33мкГн, 20%, 0.04Ом, 3.8А
MHCD201610A-R24M-A8S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 2.0*1.6*1.0мм, 0.24мкГн, 20%, 0.028Ом, 4.5А
X
undefined