Разъем IDC "гнездо" 20 конт.(2x10) шаг 1.27 мм (межрядн. расст. 2.54 мм), на шлейф (шаг шлейфа 0.635 мм) (аналог IDC1.27-20* 1.27x2.54 мм, на шлейф с шагом 0.635 мм) (DS1016-01-20A2B)

Разъем IDC "гнездо" 40 конт.(2x20) шаг 1.27 мм (межрядн. расст. 2.54 мм), на шлейф (шаг шлейфа 0.635 мм) (аналог IDC1.27-40* 1.27x2.54 мм, на шлейф с шагом 0.635 мм) (DS1016-01-40A2B)

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Next Generation OPxx77 Wide BW Amp

Фильтр согласующий (коэфф. 1:1, с POE IEEE 802.3) для 1000Base-T Gigabit, температ. диап. от - 40 до + 85 град.C, корпус SOIC-24, упак. на ленте, до 57В (DC)/0.35А (аналог 749022011*)

Фильтр согласующий (коэфф. 1:1) для 4-х портов 10/100Base-TX, температ. диап. от 0 до + 70 град.C, корпус SOIC-40, упак. на ленте, до 5В/0.35А (аналог H1664NL*)

DC-DC, 100Вт, Uвх=8...35В, Выход 15В/6,5А, рег.вых 0...110% Uном, изоляция 2000В AC, кассетный 168x52x111(3U), -25...+71°С, охлаждающая панель

DC-DC, 45Вт, вход 18...36В, выход 15В/3А, изоляция 2000В DC, открытая плата SMT 58.42x22.76x7мм, -55...+85°С, включение (-) сигналом