◁
SQV322520T-180M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 18мкГн, 20%, Q=35, 2.5Ом, 165мА
SQV322520T-181K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 180мкГн, 10%, Q=40, 10.2Ом, 65мА (аналог LQH32MN181J21*/ LQH32MN181K21*)
SQV322520T-181M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1210, 180мкГн, 20%, Q=40, 10.2Ом, 65мА
NL252018T-1R8K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 1.8мкГн, 10%, Q=25, 1.45Ом, 750мА
NL252018T-101J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 100мкГн, 5%, Q=8 21Ом, 120мА
NL252018T-100J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 10мкГн, 5%, Q=15, 3.5Ом, 600мА
NL252018T-100K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 10мкГн, 10%, Q=15, 3.5Ом, 600мА
NL252018T-120J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 12мкГн, 5%, Q=15, 3.8Ом, 550мА
NL252018T-120K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 12мкГн, 10%, Q=15, 3.8Ом, 550мА
NL252018T-150J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 15мкГн, 5%, Q=15, 4.4Ом, 430мА
NL252018T-220J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 22мкГн, 5%, Q=15, 5.5Ом, 400мА
NL252018T-220K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 22мкГн, 10%, Q=15, 5.5Ом, 400мА
NL252018T-270J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 27мкГн, 5%, Q=15, 6.3Ом, 360мА
NL252018T-270K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 27мкГн, 10%, Q=15, 6.3Ом, 360мА
NL252018T-3R3J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 5%, Q=25, 1.9Ом, 730мА
NL252018T-3R3K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 3.3мкГн, 10%, Q=25, 1.9Ом, 730мА
NL252018T-3R9J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 3.9мкГн, 5%, Q=25, 2.1Ом, 700мА
NL252018T-4R7K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 4.7мкГн, 10%, Q=25, 2.3Ом, 650мА
NL252018T-470J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 47мкГн, 5%, Q=10, 11.1Ом, 300мА
NL252018T-470K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 47мкГн, 10%, Q=10, 11.1Ом, 300мА
NL252018T-5R6J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 5%, Q=20, 2.5Ом, 640мА
NL252018T-5R6K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 5.6мкГн, 10%, Q=20, 2.5Ом, 640мА
NL252018T-560J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 56мкГн, 5%, Q=10, 12.1Ом, 270мА
NL252018T-560K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 1008, 56мкГн, 10%, Q=10, 12.1Ом, 270мА
5B31-CUSTOM-CY — Analog Devices
X
undefined