◁
CS0805-R20J-S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 200нГн, 5%, Q=50, 0.68Ом, 400мА
CS0805-R20K-S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 200нГн, 10%, Q=50, 0.68Ом, 400мА
CS0805-R22G-S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 220нГн, 2%, Q=50, 0.7Ом, 400мА (аналог LQW2BASR22G00*)
CS0805-R25J-S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 250нГн, 5%, Q=45, 1.2Ом, 350мА
CS0805-R25K-S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 250нГн, 10%, Q=45, 1.2Ом, 350мА
CS0805-R27G-S — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0805, 270нГн, 2%, Q=48, 1Ом, 350мА (аналог LQW2BASR27G00*)
HFY100505T-601Y-N — CHILISIN ELECTRONICS
EMI-фильтр 0402, 600Ом, 25%, 0.7Ом, 300мА
LS0603-100J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 10мкГн, 5%, Q=19, 4.8Ом, 300мА
LS0603-100K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 10мкГн, 10%, Q=19, 4.8Ом, 300мА
LS0603-1R0J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 1мкГн, 5%, Q=18, 0.81Ом, 600мА
LS0603-1R0K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 1мкГн, 10%, Q=18, 0.81Ом, 600мА
LS0603-1R2J-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 1.2мкГн, 5%, Q=17, 0.87Ом, 550мА
LS0603-1R2K-N — CHILISIN ELECTRONICS
Чип-индуктивность 0603, 1.2мкГн, 10%, Q=17, 0.87Ом, 550мА
LVS808040L-4R7T-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 4.7мкГн, 30%, 0.022Ом, 4.4А
LVS808040L-8R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 8.2мкГн, 20%, 0.037Ом, 3.6А
LVS808040L-8R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 8.0*8.0*4.2мм, 8.2мкГн, 30%, 0.037Ом, 3.6А
LVT201B10-R47M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.47мкГн, 20%, 0.072Ом, 2.4А
LVT201B10-R47T-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.0*1.6*1.02мм, 0.47мкГн, 30%, 0.072Ом, 2.4А
LVT252A10-2R2M-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.135Ом, 1.42А
LVT252A10-2R2T-N — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 2.5*2.0*1.0мм, 2.2мкГн, 30%, 0.135Ом, 1.42А
MHCB06030-1R0M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 1мкГн, 20%, 0.01Ом, 11А
MHCB06030-2R2M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 2.2мкГн, 20%, 0.02Ом, 8А (аналог IHLP2525CZER2R2M01)
MHCB06030-3R3M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 3.3мкГн, 20%, 0.03Ом, 6А (аналог IHLP2525CZER3R3M01)
MHCB06030-4R7M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 4.7мкГн, 20%, 0.04Ом, 5.5А
MHCB06030-6R8M-C1 — CHILISIN ELECTRONICS
Силовая индуктивность 6.6*7.3*3.0мм, 6.8мкГн, 20%, 0.06Ом, 4.5А
X
undefined