Клеммник 16 конт. (2 x 8) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) закрытый, прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 20 конт. (2 x 10) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) закрытый, прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 4 конт. (2 x 2) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) с боков. резьб. отверст., прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 8 конт. (2 x 4) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) с боков. резьб. отверст., прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 10 конт. (2 x 5) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) с боков. резьб. отверст., прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 12 конт. (2 x 6) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) с боков. резьб. отверст., прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 16 конт. (2 x 8) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) с боков. резьб. отверст., прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Клеммник 20 конт. (2 x 10) "вилка" шаг 3.81 мм (межрядн. расст. 12.70 мм) с боков. резьб. отверст., прямой угол на плату, до 300В/8А, зеленый изол. ("2-х ярусная" конструкция)

Заглушка пластик. торцевая, для клеммных модульных блоков PM2.5WS, с проушин. для крепл. на панель, серый изол.

Клеммник 3 конт. шаг 5.00 мм (межрядн. расст. 4.10 мм) модульный, вертик. на плату, H = 14.5 мм, микролифт (пров. 24-12AWG/ до 2.5 кв.мм), до 300В/20А, черный изол.

Чип-индуктивность 0805, 7.5нГн, 5%, Q=50, 0.14Ом, 600мА (аналог LQW2BAS7N5J00*)

Чип-индуктивность 0805, 7.5нГн, 10%, Q=50, 0.14Ом, 600мА

Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 2%, Q=65, 0.42Ом, 400мА (аналог LQW2BAS82NG00*)

Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 5%, Q=65, 0.42Ом, 400мА (аналог LQW2BAS82NJ00*)

Чип-индуктивность 0805, 82нГн, 10%, Q=65, 0.42Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 84нГн, 2%, Q=65, 0.48Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 84нГн, 5%, Q=65, 0.48Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 180нГн, 2%, Q=50, 0.64Ом, 400мА (аналог LQW2BASR18G00*)

Чип-индуктивность 0805, 180нГн, 5%, Q=50, 0.64Ом, 400мА (аналог LQW2BASR18J00*)

Чип-индуктивность 0805, 180нГн, 10%, Q=50, 0.64Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 200нГн, 2%, Q=50, 0.68Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 200нГн, 5%, Q=50, 0.68Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 200нГн, 10%, Q=50, 0.68Ом, 400мА

Чип-индуктивность 0805, 220нГн, 2%, Q=50, 0.7Ом, 400мА (аналог LQW2BASR22G00*)

Чип-индуктивность 0805, 250нГн, 5%, Q=45, 1.2Ом, 350мА