◁
2SK3633(F) — TOSHIBA
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=7 А, Qg=35 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж
2SK3700(F) — TOSHIBA
TO-3PN PWR-MOSFET N-CHANNEL
2SK3767(STA4,Q,M) — TOSHIBA
2SK3798(STA4,Q,M) — TOSHIBA
TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL
2SK3799(Q,M) — TOSHIBA
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=8 А, Qg=60 нКл, PD=50 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,3 , 3pin-TO-220SIS монтаж
2SK3843(TE24L,Q) — TOSHIBA
2SK3878(F) — TOSHIBA
TO-3PN PWR-MOSFET N-CHANNEL
2SK4013 — TOSHIBA
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 45Вт; TO220FP
2SK4013(STA4,Q,M) — TOSHIBA
TO-220SIS PWR-MOSFET N-CHANNEL
2SK4014(STA4,Q,M) — TOSHIBA
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=6 А, Qg=45 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-TO-220SIS монтаж
2SK4017(Q) — TOSHIBA
2SK4033(TE16L1,NQ) — TOSHIBA
Не рекомендуется для новых разработок
2SK4034(TE24L,Q) — TOSHIBA
Не рекомендуется для новых разработок
2SK4115(F) — TOSHIBA
MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=7 А, Qg=45 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж
2SK4207(Q) — TOSHIBA
PWR-MOSFET N-CHANNEL
2SK880-GR(TE85L,F) — TOSHIBA
USM N-CHANNEL JFET
3SK291(TE85L,F) — TOSHIBA
SMQ RF-MOSFET N-CH
4N25(SHORT.F) — TOSHIBA
Оптрон; THT; Каналы:1; Вых: транзисторный; Uизол:2,5кВ; Uce:30В
4N35(SHORT,F) — TOSHIBA
DIP6 COUPLER,6PIN TRANS
6N136(F) — TOSHIBA
DIP8 COUPLER, PHOTO IC, 1 MBPS
74HC00D(BJ) — TOSHIBA
SOIC14 Quad 2-Input NAND Gate
74HC02D(BJ) — TOSHIBA
SOIC14 Quad 2-Input NAND Gate
74HC04D(BJ) — TOSHIBA
SOIC14 Hex Inverter
74HC05D(BJ) — TOSHIBA
SOIC14 Hex Inverter (Open Drain)
74HC08D(BJ) — TOSHIBA
SOIC14 Quad 2-Input NAND Gate
X
undefined